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铟锡氧化物(ITO)靶

产品详情

主要用途

真空磁控溅射制备ITO导电玻璃及柔性ITO导电膜。



物理及化学特性

化      学      式:                                  In2O3/SnO2(可根据客户要求制作各种成分靶材,例如:90/10,93/7,95/5,97/3,98/2等)

外                观:                                  黑色块状陶瓷

晶     粒       度:                                  5~15um

电     阻       率:                                  1.2×10-4Ω·cm

线   胀  系   数:                                  5.8×10-6K-1

相  对   密   度:                                   ≥99%

纯                度:                                  ≥99.99%



产品检测方法

晶      粒      度:                                  扫描电镜(SEM)观察。

纯                度:                                  ICP—AES分析测试杂质含量。

密                度:                                  排水法

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